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              四北電子公司介紹如何設(shè)計(jì)高效小型化開(kāi)關(guān)電源

              開(kāi)關(guān)電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù),控制開(kāi)關(guān)晶體管開(kāi)通和關(guān)斷的時(shí)間比率,維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源。從上世紀(jì)90年代以來(lái)開(kāi)關(guān)電源相繼進(jìn)入各種電子、電器設(shè)備領(lǐng)域,計(jì)算機(jī)、程控交換機(jī)、通訊、電子檢測(cè)設(shè)備電源、控制設(shè)備電源等都已廣泛地使用了開(kāi)關(guān)電源。隨著電源技術(shù)的發(fā)展,低電壓,大電流的開(kāi)關(guān)電源因其技術(shù)含量高,應(yīng)用廣,越來(lái)越受到人們重視。在開(kāi)關(guān)電源中,正激和反激式有著電路拓?fù)浜?jiǎn)單,輸入輸出電氣隔離等優(yōu)點(diǎn),廣泛應(yīng)用于中小功率電源變換場(chǎng)合。跟反激式相比,正激式變換器變壓器銅損較低,同時(shí),正激式電路副邊紋波電壓電流衰減比反激式明顯,因此,一般認(rèn)為正激式變換器適用在低壓,大電流,功率較大的場(chǎng)合。  


              2 基本技術(shù)  


              2.1 有源鉗位技術(shù)  


              正激DC/DC變換器其固有缺點(diǎn)是功率晶體管截止期間高頻變壓器必須磁復(fù)位。以防變壓器鐵心飽和,因此必須采用專門(mén)的磁復(fù)位電路。通常采用的復(fù)位方式有三種,即傳統(tǒng)的附加繞組法、RCD鉗位法、有源鉗位法。三種方法各有優(yōu)缺點(diǎn):磁復(fù)位繞組法正激變換器的優(yōu)點(diǎn)是技術(shù)成熟可靠,磁化能量可無(wú)損地回饋到直流電路中去,可是附加的磁復(fù)位繞組使變壓器結(jié)構(gòu)復(fù)雜化,變壓器漏感引起的關(guān)斷電壓尖峰需要RC緩沖電路來(lái)抑制,占空比D<0.5,功率開(kāi)關(guān)管承受的電壓應(yīng)力與輸入電源電壓成正比。RCD鉗位正激變換器的優(yōu)點(diǎn)是磁復(fù)位電路簡(jiǎn)單,占空比D可以大于0.5,功率開(kāi)關(guān)管承受電壓應(yīng)力較低,但大部分磁化能量消耗在鉗位電阻中,因此它一般適用于變換效率不高且價(jià)廉的電源變換場(chǎng)合。有源鉗位技術(shù)是三種技術(shù)中效率最高的技術(shù),它的電路圖如圖1所示,工作原理如圖2所示。在 DT時(shí)段之前,開(kāi)關(guān)管S1導(dǎo)通,激磁電流iM為負(fù),即從Cr通過(guò)S1流向Tr,在DT階段,開(kāi)關(guān)管S的驅(qū)動(dòng)脈沖ugs使其導(dǎo)通,同時(shí)ugs1=0,使S1 關(guān)斷,在Vin的作用下,激磁電流由負(fù)變正,原邊功率通過(guò)變壓器傳到副邊,給輸出端電感L充電;在(1-D)T時(shí)段,ugs=0,S關(guān)斷,ugs1到來(lái)使 S1導(dǎo)通,iM通過(guò)S1的反并二極管向Cr充電,在Cr和Tr漏感構(gòu)成的諧振電路的作用下,iM由正變負(fù),變壓器反向激磁。從以上分析中可以看出:有源鉗位正激變換器變壓器鐵心工作在雙向?qū)ΨQ磁化狀態(tài),提高了鐵心利用率,鉗位電容的穩(wěn)態(tài)電壓隨開(kāi)關(guān)占空比而自動(dòng)調(diào)節(jié),因而占空比可大于50%;Vo一定時(shí),主開(kāi)關(guān)、輔助開(kāi)關(guān)應(yīng)力隨Vin的變化不大;所以,在占空比和開(kāi)關(guān)應(yīng)力允許的范圍內(nèi),能夠適應(yīng)較大輸入電壓變化范圍的情況。不足之處是增加了一個(gè)管子,使得電路變得復(fù)雜。  


              2.2 同步整流技術(shù)  


              在低電壓大電流功率變換器中,若采用傳統(tǒng)的普通二極管或肖特基二極管整流由于其正向?qū)▔航荡螅ǖ蛪汗瓒䴓O管正向壓降約0.7V,肖持基二極管正向壓降約 0.45V,新型低電壓肖特基二極管可達(dá)0.32V),整流損耗成為變換器的主要損耗,無(wú)法滿足低電壓大電流開(kāi)關(guān)電源高效率,小體積的需要。  


              MOSFET導(dǎo)通時(shí)的伏安特性為一線性電阻,稱為通態(tài)電阻RDS,低壓MOSFET新器件的通態(tài)電阻很小,如:IRL3102(20V,61A)、 IRL2203S(30V,116A)、IRL3803S(30V,100A)通態(tài)電阻分別為0.013Ω、0.007Ω和0.006Ω,它們?cè)谕ㄟ^(guò) 20A電流時(shí),通態(tài)壓降不到0.3V。另外,功率MOSFET開(kāi)關(guān)時(shí)間短,輸入阻抗高,這些特點(diǎn)使得MOSFET成為低電壓大電流功率變換器首選的整流器件。功率MOSFET是一種電壓型控制器件,它作為整流元件時(shí),要求控制電壓與待整流電壓的相位保持同步才能完成整流功能,故稱為同步整流電路。圖1為典型的降壓型“同步”開(kāi)關(guān)變換器電路(當(dāng)電路中無(wú)SR時(shí),為“普通”的降壓型開(kāi)關(guān)變換器電路)。

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               ^ 四北電子公司介紹如何設(shè)計(jì)高效小型化開(kāi)關(guān)電源

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