電平位移電路應用于負電源的設計
本文設計了一種應用于負電源的電平位移電路。實現從0～8V低壓邏輯輸入到8～-100V高壓驅動輸出的轉換。分析了該電路的結構和工作原理。基于此電路結構設計了滿足應用要求的高壓薄膜SOI LDMOS器件。分析了器件的工作狀態(tài)以及耐壓機理，并利用工藝器件聯(lián)合仿真對器件的電學特性進行了優(yōu)化設計。
2 器件設計及優(yōu)化
由于負電源供電的電平位移電路結構的改變，應用于正電源的常規(guī)nLDMOS和pLDMOS不能滿足該電路結構要求。在正電源供電的電平位移電路中，由于pLDMOS的源端接高壓電源，其柵源需要承受高壓，所以pLDMOS采用了厚柵氧的結構，如圖2(a)所示。在使用負電源的電平位移電路結構中(圖1(b))，pLDMOS的源端為邏輯高壓8V，柵端由低壓邏輯0～8V電壓控制，因此柵源不再承受高壓。但是nLDMOS的源端為負電源的最低電位，其柵源需要承受高壓，因此高壓nLDMOS需要采用厚柵氧結構，如圖2(b)所示。
電源的改變不僅僅改變了電路的結構，nLDMOS的厚柵氧，同時器件的耐壓機理也發(fā)生了改變。考慮到低壓管的背柵效應，SOI材料的襯底只能接地，因此源漏電平的改變將引起nLDMOS和pLDMOS耐壓機理的改變。圖3是利用工藝(Tsuprem4)、器件(Medici)聯(lián)合仿真得到的正電源和負電源電平位移電路中高壓nLDMOS和pLDMOS關態(tài)擊穿時等勢線分布對比圖。對于nLDMOS，常規(guī)正電源應用的襯底電位對于漂移區(qū)來說是輔助耗盡作用，這就是常規(guī)SOI中的RESURF原理。但是對于負電源的nLDMOS來說，襯底不再起輔助耗盡SOI層漂移區(qū)的作用(圖3(b))。對于pLDMOS來說，情況剛好相反。所以針對負電源應用，兩種器件都要進行相應的優(yōu)化處理。
利用工藝器件聯(lián)合仿真，在傳統(tǒng)的正電源應用的LDMOS基礎上對器件的結構參數進行優(yōu)化設計。圖4(a)為pLDMOS在漂移區(qū)注入劑量Nd=7 e12cm-2時關態(tài)耐壓、開態(tài)耐壓與漂移區(qū)長度Ld(μm)的關系，以及在漂移區(qū)長度Ld=9μm情況下關態(tài)耐壓、開態(tài)耐壓與漂移區(qū)注入劑量Nd(cm-2)的關系。其他參數為：n型體區(qū)注入劑量5e12 cm-2，Nsink注入劑量3e15 cm-2，P-buffer注入劑量1.5e13 cm-2，溝道長度3μm，柵極場板3μm。從仿真結果可以看出：pLDMOS的關態(tài)耐壓隨漂移區(qū)的增加而增大，隨漂移區(qū)的注入劑量的增大先增大后減小;開態(tài)耐壓隨著漂移區(qū)注入劑量的增大而降低，但是在一定范圍內漂移區(qū)長度對其影響較小�？傮w上，pLDMOS的關態(tài)耐壓、開態(tài)耐壓都在160V以上，完全能夠滿足8～-100V工作電壓(108V耐壓)的要求。
在柵驅動電路中需要電平位移電路來實現從低壓控制輸入到高壓驅動輸出的電平轉換。而在一些領域如SOC中的待機模式激活、ESD保護等需要能工作在負電源的電平位移電路。
SOI(Silicon-On-Insulator)技術以其高速、低功耗、高集成度、極小的寄生效應以及良好的隔離等特點，在集成電路設計應用中倍受青睞。
本文基于SOI高壓集成技術設計了電源電壓為8～-100V的電平位移電路，并對電路中的核心LDMOS器件進行了設計和模擬仿真優(yōu)化。
1 電路結構
傳統(tǒng)正電源應用的電平位移電路結構如圖1(a)所示。L1、L2、L3是由邏輯電路部分產生的低壓時序控制信號，N1、N2、N3為高壓nLDMOS器件，P1、P2、P3為高壓平pLDMOS器件。由P1，P2和N1、N2構成的電平位移單元將L1、L2的低壓邏輯信號轉變?yōu)榭梢钥刂芇3管的高壓電平，與L3一起控制由P3和N3組成的反向輸出級，從而實現從低壓邏輯信號到高壓驅動輸出的轉換。
在正電源電平位移電路中，由于nLDMOS的源極為低壓，所以可以通過低壓邏輯部分來控制其開關狀態(tài)，而源極為高壓的pLDMOS則通過電平位移來控制。當高壓驅動電壓為8～-00V，低壓邏輯部分工作電壓為0～8V時，電平位移轉換部分的電壓分布本身沒有改變，但是在和低壓控制端接合時，與傳統(tǒng)的正電源相比電平發(fā)生了改變，就需要重新設計低壓邏輯的控制方式。此時，nLDMOS的源極為-100V電壓，顯然不能通過低壓邏輯控制部分的0～8V電壓來實現控制，而pLDMOS的源極為8V電源。因此采用了低壓邏輯輸出直接控制pLDMOS，而nLDMOS則通過電平位移來控制的方法，如圖1(b)所示。
圖4 (b)為nLDMOS在漂移區(qū)注入劑量Nd=4e11cm-2時關態(tài)耐壓、開態(tài)耐壓與漂移區(qū)長度Ld(μm)的關系，以及在漂移區(qū)在縮短柵極場板到1μm，提高體區(qū)注入劑量到5e14 cm-2的情況下，在得到nLDMOS的閾值電壓為24V，關態(tài)擊穿電壓215V，開態(tài)擊穿電壓140V，能夠滿足-100V電壓的應用要求。
3 結束語
基于此電路結構設計了滿足電路應用需求的高壓器件。并對高壓LDMOS進行了優(yōu)化設計，尤其是高壓nLDMOS的開態(tài)耐壓。得到高壓nLDMOS的關態(tài)擊穿電壓215V，開態(tài)擊穿電壓140V，閾值電壓24V;高壓pLDMOS的關態(tài)擊穿電壓200V，開態(tài)擊穿電壓160V，閾值電壓-1V。
長度Ld=15μm情況下關態(tài)耐壓、開態(tài)耐壓與漂移區(qū)注入劑量Nd(cm-2)的關系。其他參數為：p型體區(qū)注入劑量5e13 cm-2，Psink注入劑量3e15 cm-2，N-buffer注入劑量1e13cm-2，溝道長度3μm，柵極場板3.5μm。相對于pLDMOS，漂移區(qū)注入劑量和漂移區(qū)長度對于開態(tài)耐壓、關態(tài)耐壓的影響不大。同時關態(tài)耐壓都能維持在180V以上，但是開態(tài)耐壓卻只有90～120V，不能滿足8～100V工作電壓(108V耐壓)的要求。nLDMOS開態(tài)耐壓問題成為電路、器件設計的關鍵。
針對nLDMOS器件開態(tài)耐壓低的問題，有針對性地仿真了溝道長度、多晶硅柵場板長度及體區(qū)濃度對開態(tài)耐壓的影響。圖5(a)為nLDMOS的關態(tài)耐壓、開態(tài)耐壓及閾值與溝道長度(Lch)的關系�？梢钥闯鰷系篱L度對器件的開態(tài)耐壓和關態(tài)耐壓影響很小。閾值隨著溝道長度的增加而增加，這是由于采用橫向雙擴散形成溝道，所以隨著溝道長度增加，p型體區(qū)的濃度越來越大，閾值也就越來越大。圖5(b)為nLDMOS的關態(tài)耐壓、開態(tài)耐壓及閾值與多晶硅柵極場板長度(LPgate)的關系。在柵極場板較長時，其對閾值和關態(tài)耐壓影響很小，當柵極場板縮短到多晶硅柵不能覆蓋溝道時，器件的開態(tài)耐壓大幅增加。這時閾值也迅速增加。雖然多晶硅柵不能完全覆蓋溝道，但是由于開態(tài)時nLDMOS的柵漏電壓差很大，所以仍然能夠在表面形成反型層溝道。因此，大幅減短柵極場板能有效提高器件的開態(tài)耐壓，但是同時也帶來了器件不能有效開啟的問題。圖5(c)為nLDMOS的關態(tài)耐壓、開態(tài)耐壓及閾值與體區(qū)注入劑量(Pbody)的關系�？梢钥闯鲈黾芋w區(qū)的注入劑量對器件的耐壓影響很小。但是隨著注入劑量的增加，體區(qū)濃度增加，所以閾值就增加，同時器件的開態(tài)耐壓也隨之增加。當體區(qū)注入劑量達到5e14cm-2時，閾值增加緩慢，開態(tài)耐壓卻大幅增加，所以只能通過閾值上的犧牲來改善nLDMOS的開態(tài)擊穿耐壓。
通過以上分析，發(fā)現提高nLDMOS的開態(tài)擊穿電壓最有效的方法是縮短柵極場板和提高體區(qū)注入劑量。這二種方法的實質提高導通阻抗或降低電流能力。但是對于普通應用的nLDMOS，電流能力本身就比pLDMOS有優(yōu)勢。當應用到負電源電平位移電路中時，厚柵氧高柵源電壓使得nLDMOS的電流能力更加突出，但是同時也導致了開態(tài)耐壓的降低。所以提高nLDMOS開態(tài)擊穿電壓就必須降低其電流能力。如圖6所示，在nLD-MOS正常工作時，源端的電壓為-100V，此時飽和電流相差0.05mA/μm。
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